据外媒TechPower RUP报道，美国公司Synopsys月9日宣布，推出业界首个完整的HBM3 IP存储芯片设计方案该技术是HBM2e的升级版，可以满足高性能计算设备，计算加速卡等产品的高带宽需求，采用多层芯片封装的工艺HBM内存通常封装在GPU芯片旁边

据本站介绍，新思科技是全球电子设计自动化解决方案第一提供商，也是全球芯片接口ip第一提供商，主要提供芯片设计软件和解决方案此次发布的HBM3解决方案，包括验证IP，针对ZeBu仿真的HBM3模型以及HAPS原型设计方案，可以加速相关产品的设计开发进程

新思科技的DesignWare HBM3控制器IP还支持多种灵活配置，包括纠错码，刷新管理，奇偶校验等先进的RAS功能，可以最大限度减少内部库存延迟，优化数据完整性具体来说，该方案中的HBM3芯片利用专用微凸点阵列与中间通信层连接，中间层采用内部布线设计，灵活性更大，有助于减少长度

warehbm3 phy IP采用5nm制造工艺，每个引脚的通信速度高达7200Mbps与上一代相比，芯片的功耗效率也有所提升，最多支持4种功耗状态官方表示，Synopsys将继续满足数据密集型SOC的设计和验证要求，并为HBM3，DDR5和LPDDR5存储器提供高质量的解决方案

本站了解到，美光，三星电子，SK海力士均表示将继续与新思科技合作，致力于研发下一代HBM3内存，以满足日益增长的AI和图形计算需求。

近日宣布推出行业首个完整的HBM3IP解决方案，包括用于5D多裸晶芯片封装系统的控制器，PHY和验证IP。HBM3技术可帮助开发者满足高性能计算，AI和图形应用的片上系统(SoC)设计对高带宽和低功耗内存的要求。新思科技的DesignWarereg;HBM3控制器和PHYIP以经过硅验证的HBM2EIP为基础，充分利用新思科技的中介层专业知识，能够提供低风险解决方案，从而实现高达921GB/s的内存带宽。

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