，据高能物理研究所，最近几天，中国科学院高能物理研究所科研团队研制出具有良好抗辐照性能的硅超快传感器。

该传感器基于低增益雪崩放大二极管经 ATLAS 合作组与 RD50 合作组测试，该传感器是目前抗辐照性能最好的 LGAD 硅超快传感器，达到 ATLAS 实验高颗粒度高时间分辨探测器项目的要求

据介绍，该研究在原有 LGAD 硅超快传感器工艺上增加了碳掺杂工艺，降低了辐照引起硅传感器中硼掺杂的移除速率，提高了抗辐照性能。在光线不佳的环境下，ISOCELLHP1通过合并16个相邻的像素，;变身;为1个具有56mu;m大像素的15Mp图像传感器。合成的56mu;m大像素能吸收更多光线，具有更高的灵敏度，在室内或傍晚也能拍出明亮，清晰的照片。

该项目研发的硅超快传感器，超快读出芯片和大面积超快探测器集成等均是国际前沿的新技术以高能所为主体的中国组将承担 HGTD 项目超过 1/3 的传感器研制，近一半的探测器模块研制，与全部的前端电路板研制

本站了解到，该项目得到国家自然科学基金委员会，核探测与核电子学国家重点实验室等的支持。为追求更为极致的暗光拍摄效果，ISOCELLHP1采用了新的ChameleonCell技术，作为一种像素合成技术，它能根据使用环境，采用4times;4，2times;2或全像素模式。在光线充足的室外环境下，ISOCELLHP1的2亿像素;火力全开;，帮助移动设备捕捉超高分辨率照片。。

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